jueves, 14 de agosto de 2008
miércoles, 13 de agosto de 2008
Estructura Atomo
El núcleo atómico
El núcleo del átomo se encuentra formado por nucleones, los cuales pueden ser de dos clases:
Protones: Partícula de carga eléctrica positiva igual a una carga elemental, y 1,67262 × 10–27 kg y una masa 1837 veces mayor que la del electrón
Neutrones: Partículas carentes de carga eléctrica y una masa un poco mayor que la del protón (1,67493 × 10–27 kg)
Molecula
Materia
Clasificacion
Desde el punto de vista electrico los materiales se clasifican en:
- Conductores.
- Aislantes.
- Semiconductores.
Materiales Conductores
Materiales Aislantes
Materiales Semiconductores
Los semiconductores naturales deben ser preparados para ser usados como semiconductores grado electronico.
- Deben purificarse, solo deben quedar impurezas en partes por millos (ppm).
- Deben poseer una red cristalina pura y ordenada.
- Se usan Silicio y Germanio.
A estos semiconductores se les denomina Intrinsecos debido a que sus propiedades electricas solo dependen de ellos y de su forma geometrica cuando se construyen dispositivos con ellos.
Si a los semiconductores Intrinsecos se les combina adecuadamente con elementos del III y/o del V grupo se forman los semiconductores Extrinsecos. Los elementos del V grupo que se usan en la electronica junto con el silicio y el germanio son: fosforo arsenico, antimonio y bismuto que al combinarse con los semiconductores Intrinsecos forman los semiconductores Extrinsecos tipo N.
Conclusion
Al estudiar la naturaleza de los materiales conductores, semiconductores y aislantes, se establece que:
- Los materiales aislantes se caracterizaban por poseer una Banda Prohibida muy ancha, la cual impede el paso de electrones de la Banda de Valencia a la de Conducción.
- En los materiales semiconductores, la Banda Prohibida es mucho menos ancha que en los aislantes. Por lo general, a 0º K los materiales semiconductores se comportan como aislantes. Pero a medida que aumenta la temperatura lo hace su capacidad de conducción, ya que este aporte de energía sirve para que los electrones puedan saltar de la Banda de Valencia a la de Conducción.
La anchura de la Banda Prohibida condiciona la energía que debe aportarse a los electrones para que pasen de la Banda de Valencia a la de Conducción. El aporte de energía debe superar los 0,785 eV (Electrón - Voltios) en el caso del germanio y los 1,21 eV para el silicio. Al saltar de la Banda de Valencia a la de Conducción, los electrones dejan un hueco. Por lo tanto, se establecen dos corrientes: una producida por los electrones situados en la Banda de Conducción y otra originada por los huecos (en el proceso de recombinación).
Los semiconductores intrínsecos son puros, en los que la conducción se debe al aumento de electrones en la banda de conducción originado por la temperatura. Los portadores de carga son los electrones y los huecos. Los semiconductores intrínsecos no presentan impurezas en su estructura, y están constituidos únicamente por el elemento tetravalente semiconductor (del grupo IV de la tabla periódica): silicio o germanio puro.
Los semiconductores extrínsecos contienen impurezas. Si en una red cristalina se introducen átomos de impureza, aparecen estados de energía o bandas auxiliares en el interior de la banda prohibida. Estos nuevos niveles contribuyen a la conducción. Para obtenerlos se recurre al dopage o impurificación del semiconductor (por métodos de difusión o epitaxiales) con elementos pentavalentes o trivalentes. La presencia de estas impurezas se traduce en le aumento del número de portadores de carga.
Si el dopaje se realiza con un elemento trivalente (elementos del grupo III que sólo tienen tres electrones en la última capa), la estructura que se obtiene se denomina semiconductor tipo p. Al introducir impurezas de esta índole es como si en realidad se aportaran huecos, puesto que se originará un defecto de electrones. Como quiera que el semiconductor es un elemento tetravalente, al elemento impurificador trivalente le faltarán electrón para realizar la covalencia con el semiconductor; por lo tanto, habrá un hueco en la Banda de Valencia disponible para establecer la conducción. Las impurezas crean una banda suplementaria: el llamado nivel de energía aceptor.
Si un material semiconductor (como el germanio o silicio) es dopado con un elemento pentavalente (elementos cuyos átomos tienen cinco electrones en la última capa), se obtiene un semiconductor tipo n. De los cinco electrones que aporta la impureza, cuatro formarán enlace covalente, mientras que un electrón quedará libre en la Banda de Conducción. En esta situación, el número de electrones supera al número de huecos. La impurificación con elementos pentavalentes (donadores) crea en el semiconductor una banda auxiliar de electrones, situada junto a la Banda de Conducción, que recibe el nombre de nivel de energía donador. De esta forma, con muy poca energía que se suministre, los electrones de la banda suplementaria pasarán a la Banda de Conducción.
El enlace covalente consiste en el compartimiento de pares de electrones por dos átomos, dando lugar a moléculas y puede ser polar o no polar.
El enlace covalente puede dar lugar a compuestos sólidos cristalinos de malla rígida tridimensional que une a cada uno de los átomos con todos los demás, en los que la totalidad del cristal es una sola molécula (p. ej., el cuarzo y el diamante), o bien a moléculas discretas que, en estado sólido, están unidas por fuerzas intermoleculares y reciben el nombre de cristales moleculares. Estos compuestos, en cualquiera de los estados de agregación, están formados por las mismas moléculas y sólo se diferencian en la ordenación de éstas.
Conductividad
Resistividad
La resistividad [ρ] (rho) se define como:
ρ = R *A / L
donde:- ρ es la resistividad medida en ohmios-metro- R es el valor de la resistencia eléctrica en Ohmios- l es la longitud del material medida en metros- A es el área transversal medida en metros2
De la anterior fórmula se puede deducir que el valor de una resistencia, utilizada normalmente en electricidad y electrónica, depende en su construcción, de la resistividad (material con el que fue fabricado), su longitud, y su área transversal.
R = ρ * L / A
- A mayor longitud y menor área transversal del elemento, más resistencia
- A menor longitud y mayor área transversal del elemento, menos resistencia
Su valor describe el comportamiento de un material frente al paso de corriente eléctrica, por lo que da una idea de lo buen o mal conductor que es. Un valor alto de resistividad indica que el material es mal conductor mientras que uno bajo indicará que es un buen conductor.
Generalmente la resistividad de los metales aumenta con la temperatura, mientras que la resistividad de los semiconductores disminuye ante el aumento de la temperatura.
Ejemplo: La resistencia de un alambre de cobre de 100 metros y área transversal de 2 mm2 es:
La conversión de Ω·m a Ω·mm²/m resulta de multiplicar la unidad inicial por 1x10-6.
Resistencia
Un conductor posee la unidad de resistencia de 1 ohm , cuando una diferencia de potencial de 1 volt, sobre ellla , produce una circulación de corriente de 1 ampere. El valor recíproco de la resistencia se denomina conductancia (G) ; es una medida de la facilidad con que puede circular una corriente a través de un conductor determinado (es decir, G = 1/R). La unidad de conductancia es el mho (ohms al revés). Un conductor tiene una conductancia de 1 mho cuando 1 volt produce una corriente de 1 amper a través de él.
Conductancia Eléctrica
donde:
G = Conductancia en Siemens
R = Resistencia en Ohmios
La unidad de medida de la conductancia en el Sistema internacional de unidades es el Siemens.Este parámetro es especialmente útil a la hora de tener que manejar valores de resistencia muy pequeños.